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 Elektronenstrahllithografie |
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 Elektronenstrahl-
 lithographie
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Belichten von Masken, Halbleiterscheiben oder Glaswafern
mittels Elektronenstrahl
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Parameter
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- Realisierung von Masken bzw. Direktbelichtung von
Glassubstraten
4"x4" / 5"x5" / 6"x6" / 7"x7" (maximale Dicke: 3mm)
- Belichtung von Glaswafern
ø 2,5" / ø 3" / ø 4" / ø 5" / ø 6"
- kleinste Strukturabmessungen im Resist:
0,2µm
- kleinste entwickelte Strukturabmessungen : 0,6µm
- Schnittstellen für den Layoutentwurf:
CIF, DXF, GDS2, MEBES
- Hinweise zur Layout-Datenübernahme
- Gerät:
ZBA 21
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